64-1389-49 ［เลิกผลิตแล้ว］SI7117DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 1.7 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay SI7117DN-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, 100V ถึง 400V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(10 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.7 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.3 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK 1212
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:12.5 W
- ความกว้าง:3.15 มม.
- รหัส:818-1387
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1389-49 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI7117DN-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,350
USD: 8.40
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |