64-1373-27 ［เลิกผลิตแล้ว］SIHFBC30S-GE3N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V, 3 พิน D2PAK วิซเฮย์ SIHFBC30S-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 600V ถึง 1000V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 3.6 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:2.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:74 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:815-2691
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1373-27 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIHFBC30S-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,910
USD: 18.24
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |