64-1372-96 SIHF634S-GE3 N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHF634S-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 200V ถึง 250V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 8.1 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:250 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:450 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:74 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:815-2632
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1372-96 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIHF634S-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,650
USD: 22.71
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|