64-1363-76 SISS23DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V TrenchFET, 8 พิน PowerPAK 1212 Vishay SISS23DN-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:27 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:11.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK 1212
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:57 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:165-6922
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1363-76 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SISS23DN-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 207,000
USD: 1,298.46
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|