64-1363-72 ［เลิกผลิตแล้ว］SIS430DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin PowePAK 1212 Vishay SIS430DN-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 8V ถึง 25V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:21 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:25 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด: 6.9 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:PowPAK 1212
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:52 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1600 pF @ 12.5
- รหัส:165-6939
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1363-72 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIS430DN-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 195,530
USD: 1,226.51
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |