64-1363-69 ［เลิกผลิตแล้ว］SIRA18DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 15.5 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAK SO Vishay SIRA18DP-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:15.5 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:12 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:14.7 W
- ความกว้าง:5 มม.
- รหัส:814-1291
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1363-69 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIRA18DP-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,240
USD: 7.78
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |