64-1363-63 Ser416DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 40 Pin PowerPAK SO Vishay SIR416DP-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 30V ถึง 50V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:27 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:69 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:814-1272
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1363-63 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIR416DP-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,610
USD: 16.37
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|