64-1350-85 ［เลิกผลิตแล้ว］SI466DY-T1-GE3 แชนแนล MOSFET, 16.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 8V ถึง 25V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:16.5 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:25 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:14 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.6V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 5 W
- ความกว้าง:4มม.
- รหัส:812-3249
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-85 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4666DY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,300
USD: 8.09
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |