64-1350-80 [เลิกผลิตแล้ว]SI4501BDY-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 6.4 A, 12 A, 8 V, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4501BDY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 6.4 A, 12 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:8 V, 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:20 Ω 37 Ω
- ค่าแรงขั้นต่ําเกต: 0.45V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, -8 V, +20 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.1 W, 4.5 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:16 ns, 22 ns
- หมายเลขรหัส:165-7254
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-80 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4501BDY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 101,850
USD: 638.44
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]SI4501BDY-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 6.4 A, 12 A, 8 V, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4501BDY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1350/80/64135080.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)