64-1350-76 ［เลิกผลิตแล้ว］SI4286DY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 7 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4286DY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 7 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:40 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.9 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:812-3211
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-76 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4286DY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,560
USD: 9.71
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |