64-1350-70 SI4164DY-T1-GE3 แชนแนล MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4164DY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 30V ถึง 50V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 30 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:3.9 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:6 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:812-3198
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-70 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4164DY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,960
USD: 18.56
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|