64-1350-38 ［เลิกผลิตแล้ว］SI2329DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 6 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 วิเชย์ SI2329DS-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, 8V ถึง 20V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(20 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:8 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:120 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตขั้นต่ํา: 0.35V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-5 V, +5 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-23 (TO-236)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1485 pF @ -4 V
- รหัส:812-3114
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-38 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI2329DS-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,220
USD: 7.65
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |