64-1350-25 SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:263 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-88)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.25 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:165-6930
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-25 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI1922EDH-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 102,000
USD: 639.38
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|