64-1350-11 ［เลิกผลิตแล้ว］SI1062X-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 530 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 Vishay SI1062X-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 8V ถึง 25V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:530 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:762 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-523 (SC-89)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:220 mW
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:812-3044
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-11 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI1062X-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,690
USD: 10.59
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |