64-1350-03 ［เลิกผลิตแล้ว］SI1025X-T1-GE3 Dual P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1025X-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:135 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด: Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-523 (SC-89)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:250 mW
- ความสูง:0.6มม.
- หมายเลขรหัส:165-6899
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1350-03 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI1025X-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 131,000
USD: 821.16
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |