ON Semiconductor

64-1329-42 [เลิกผลิตแล้ว]FQD12N20TM N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V QFET, DPAK 3-Pin บน Semiconductor FQD12N20TM

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, 6A ถึง 10.9A, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:9 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:280 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:55 W
  • เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป:13 ns
  • รหัส:166-3700
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1329-42
หมายเลขแบบจําลอง FQD12N20TM
ราคามาตรฐาน JPY: 151,830 USD: 951.73
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(2500pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -