64-1325-67 [เลิกผลิตแล้ว]FQPF11N50CF N-Channel MOSFET, 11 A, 500 V QFET, 3-Pin to-220F บนเซมิคอนดักเตอร์ FQPF11N50CF
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, 11A ถึง 30A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:11 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:500 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:550 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220F
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:48 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:807-5881
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1325-67 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQPF11N50CF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,340
USD: 8.40
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQPF11N50CF N-Channel MOSFET, 11 A, 500 V QFET, 3-Pin to-220F บนเซมิคอนดักเตอร์ FQPF11N50CF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1325/67/64132566.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)