ON Semiconductor

64-1323-63 [เลิกผลิตแล้ว]FDY102PZ P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V PowerTrench, 3-Pin SOT-523 บนเซมิคอนดักเตอร์ FDY102PZ

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:830 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.8 Ω
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-523 (SC-89)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:625 mW
  • ซีรีส์:เพาเวอร์เทรนจ์
  • รหัส:807-0717
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1323-63
หมายเลขแบบจําลอง FDY102PZ
ราคามาตรฐาน JPY: 1,670 USD: 10.47
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(50pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -