64-1323-57 ［เลิกผลิตแล้ว］FDU3N40TU N-Channel MOSFET, 2 A, 400 V UniFET, IPAK 3-Pin บนเซมิคอนดักเตอร์ FDU3N40TU
คุณลักษณะ
- UniFETTM N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFETTM MOSFET เป็นตระกูล MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูงของแฟร์ไชลด์ ด้วยแรงต้านจากสถานะที่เล็กที่สุดในบรรดา Planar MOSFETs และยังให้ประสิทธิภาพการสับเปลี่ยนที่เหนือกว่า และมีพลังงานที่เหนือกว่าด้วย นอกจากนี้ ESD diode ภายในของเกตภายในจะช่วยให้ UniFET-IITM MOSFET ทนต่อความเครียดจากคลื่น HBM ได้มากกว่า 2000V UniFETTM MOSFET เหมาะสําหรับการสลับโปรแกรมประยุกต์ตัวแปลงพลังงาน เช่น การแก้ไขพลังงาน (PFC), จอแสดงผลแบบแฟลต (FPD), TV ATX (Advanced Technology extended) และหลอดไฟอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(70 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด:2 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:400 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:3.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:30 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:145-4378
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1323-57 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDU3N40TU | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 5,080
USD: 31.84
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(70pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |