ON Semiconductor

64-1318-51 [เลิกผลิตแล้ว]FDS934C Dual N/P-Channel MOSFET, 5 A, 6.5 A, 20 V PowerTrench, 8 พิน SOIC บน Semiconductor FDS9934C

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:N, P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 5 A, 6.5 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:50 Ω, 90 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.6V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, -10 V, +10 V, +12 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 8
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W, 2 W
  • ความจุสัญญาณอินพุตทั่วไป @ Vds:650 pF@ 10 V, 955 pF@-10 V
  • รหัส:166-3212
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1318-51
หมายเลขแบบจําลอง FDS9934C
ราคามาตรฐาน JPY: 157,000 USD: 984.82
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(2500pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -