64-1318-38 ［เลิกผลิตแล้ว］FDS4501H Dual N/P-Channel MOSFET, 5.6 A, 9.3 A, 20 V, 30 V PowerTrench, 8-Pin SOIC บน Semiconductor FDS4501H
คุณลักษณะ
- PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 5.6 A, 9.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:20 V, 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:29 Ω นาที Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:166-3210
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1318-38 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDS4501H | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 161,000
USD: 1,009.22
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |