ON Semiconductor

64-1318-29 [เลิกผลิตแล้ว]FDP39N20 N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V UniFET, 3 พิน to-220F บนตัวนํา FDPF39N20

คุณลักษณะ

  • UniFETTM N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFETTM MOSFET เป็นตระกูล MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูงของแฟร์ไชลด์ ด้วยแรงต้านจากสถานะที่เล็กที่สุดในบรรดา Planar MOSFETs และยังให้ประสิทธิภาพการสับเปลี่ยนที่เหนือกว่า และมีพลังงานที่เหนือกว่าด้วย นอกจากนี้ ESD diode ภายในของเกตภายในจะช่วยให้ UniFET-IITM MOSFET ทนต่อความเครียดจากคลื่น HBM ได้มากกว่า 2000V UniFETTM MOSFET เหมาะสําหรับการสลับโปรแกรมประยุกต์ตัวแปลงพลังงาน เช่น การแก้ไขพลังงาน (PFC), จอแสดงผลแบบแฟลต (FPD), TV ATX (Advanced Technology extended) และหลอดไฟอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:39 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
  • แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:66 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ:TO-220F
  • ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:37 W
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ:150 ns
  • หมายเลขรหัส:145-4596
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1318-29
หมายเลขแบบจําลอง FDPF39N20
ราคามาตรฐาน JPY: 14,000 USD: 87.76
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(50pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -