64-1318-29 [เลิกผลิตแล้ว]FDP39N20 N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V UniFET, 3 พิน to-220F บนตัวนํา FDPF39N20
คุณลักษณะ
- UniFETTM N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFETTM MOSFET เป็นตระกูล MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูงของแฟร์ไชลด์ ด้วยแรงต้านจากสถานะที่เล็กที่สุดในบรรดา Planar MOSFETs และยังให้ประสิทธิภาพการสับเปลี่ยนที่เหนือกว่า และมีพลังงานที่เหนือกว่าด้วย นอกจากนี้ ESD diode ภายในของเกตภายในจะช่วยให้ UniFET-IITM MOSFET ทนต่อความเครียดจากคลื่น HBM ได้มากกว่า 2000V UniFETTM MOSFET เหมาะสําหรับการสลับโปรแกรมประยุกต์ตัวแปลงพลังงาน เช่น การแก้ไขพลังงาน (PFC), จอแสดงผลแบบแฟลต (FPD), TV ATX (Advanced Technology extended) และหลอดไฟอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:39 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:66 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220F
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:37 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:150 ns
- หมายเลขรหัส:145-4596
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1318-29 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDPF39N20 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 14,000
USD: 87.76
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FDP39N20 N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V UniFET, 3 พิน to-220F บนตัวนํา FDPF39N20](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1318/29/64131829.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)