ON Semiconductor

64-1317-84 [เลิกผลิตแล้ว]FDG332PZ P-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V PowerTrench, 6 พิน SOT-363 (SC-70) บน Semiconductor FDG332PZ

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 2.6 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:330 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-70)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน: 6
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:750 mW
  • ประจุประตูแบบปกติ @ Vgs:7.6nC @ 4.5 V
  • รหัส:806-3403
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1317-84
หมายเลขแบบจําลอง FDG332PZ
ราคามาตรฐาน JPY: 970 USD: 6.08
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(25pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -