64-1317-70 ［เลิกผลิตแล้ว］FDG311N N-Channel MOSFET, 1.9 A, 20 V PowerTrench, 6 พิน SOT-363 (SC-70) บนเซมิคอนดักเตอร์ FDG311N
คุณลักษณะ
- PowerTrench® N-Channel MOSFET, สูงสุดถึง 9.9A, เซมิคอนดักเตอร์แบบแฟร์ไชลด์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:1.9 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:170 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-70)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:750 mW
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:806-3374
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1317-70 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDG311N | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 580
USD: 3.64
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |