64-1290-53 IXFK48N60Q3N沟道MOSFET, 48 A, 600 V HiperFET, Q3级，3针TO-264IXYS IXFK48N60Q3
คุณลักษณะ
- N沟道功率MOSFET,IXYSHiperFETTMQ3系列。IXYSQ3等级的HiperFETTM功率MOSFET适用于硬开关和谐振模式应用，并提供具有卓越坚固性的低栅极电荷。该器件内置快速固有二极管，可用于多种行业标准封装，包括隔离类型，额定电压高达1100V和70A。典型应用包括DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速固有整流二极管低RDS (on) 和QG (gate charge) 低固有栅阻工业标准封装低封装电感高功率密度
ข้อมูลจําเพาะ
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:48 A
- 最大漏源电压:600 V
- 最大泄漏源电阻:140 mΩ
- 最大门限电压:6.5V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包类型:TO-264
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功率耗散:1千瓦
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:801-1415
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1290-53 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IXFK48N60Q3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 6,100
USD: 38.24
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|