64-1275-63 ไต้หวันเซมิ 40V 200mA, Dual Shottky Diode, SOT-23 BAS40-04 RF แบบ 3 พิน BAS40-04 RF
คุณลักษณะ
- Schottky Barrier Diodes สูงถึง 1A ไต้หวัน Semiconductor สูญเสียพลังงานต่ํา แรงดันไฟฟ้าต่ํา ปล่อย ความสามารถในการจ่ายกระแสไฟฟ้าสูง
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(250 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด:ชุดข้อมูล
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:40V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดไดโอด:Schottky
- จํานวนหมุด: 3
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:1V
- เวลากู้คืนกลับสูงสุด:5ns
- กระแสไฟฟ้าล่วงหน้าสูงสุดไม่เกิน 600mA
- รหัส:796-9587
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1275-63 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BAS40-04 RF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,710
USD: 29.31
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(250pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|