64-1270-42 STD65N55F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V STripFET F3, DPAK STMrefectories 3 พิน STD65N55F3
คุณลักษณะ
- N-Channel StripFETTM F3, STM Microectrolectors STripFETTM MOSFETM พร้อมด้วยช่วงแรงดันไฟฟ้าอันกว้างไกล มอบประจุ ultra-low gate และความต้านทานต่ํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:80 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:8.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:35 ns
- รหัส:795-9000
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1270-42 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STD65N55F3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,670
USD: 16.61
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|