64-1257-62 ［เลิกผลิตแล้ว］STB36NM60ND N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V FDmesh, 3-Pin D2PAK STMicrofectors STB36NM60ND
คุณลักษณะ
- N-Channel FDmeshTM Power MOSFET, STM Microelectronics
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:29 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:110 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:190 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:792-5701
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1257-62 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STB36NM60ND | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 560
USD: 3.51
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |