64-1257-57 [สินค้าคงคลังหมด]STB13N60M2 N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V MDmesh M2, 3-Pin D2PAK STMไมโครอิเล็กทรอนิกส์ STB13N60M2
คุณลักษณะ
- N-channel MDeshTM M2 Series, STMไมโครอิเล็กทรอนิกส์ MOSFET ที่ใช้พลังงานไฟฟ้าสูงหลากหลายจาก STMไมโคร ด้วยประจุของเกตต่ําและคุณลักษณะความสามารถในการส่งเอาท์พุทที่ยอดเยี่ยม ซีรีส์ MDmesh M2 จึงเหมาะสําหรับการใช้งานในอุปกรณ์สลับเปลี่ยนแบบรีโซแนนท์ (ตัวแปลง LLC)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:11 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:380 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-6548
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1257-57 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STB13N60M2 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 326,000
USD: 2,044.91
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[สินค้าคงคลังหมด]STB13N60M2 N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V MDmesh M2, 3-Pin D2PAK STMไมโครอิเล็กทรอนิกส์ STB13N60M2](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1257/57/64125757.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)