ON Semiconductor

64-1251-35 ON SemiNJVMJD122T4G NPN Darlington Pair, 8 A 100 V HFE:100, DPAK 3 พิน NJVMJD122T4G

คุณลักษณะ

  • ชุดหมายเลขชิ้นส่วนผู้ผลิตที่มีคํานําหน้า S หรือ NSV มีคุณสมบัติตรงตามมาตรฐาน AEC-Q101 เอ็นพีเอ็น ดาร์ลิงตัน ทรานซิสเตอร์ส บนเซมิคอนดักเตอร์

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดทรานซิสเตอร์:NPN
  • ตัวเก็บรวบรวมแบบต่อเนื่องสูงสุดที่มีอยู่:8A
  • แรงดันไฟฟ้าตัวเก็บรวบรวมสูงสุด:100 V
  • แรงดันไฟฟ้าพื้นฐานตัวส่งสูงสุด:5 V
  • ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • กําไรกระแสไฟฟ้า DC ต่ําสุด:100
  • แรงดันไฟฟ้าค่าความอิ่มตัวของตัวส่งสูงสุด:4.5 V
  • แรงดันไฟฟ้าฐานตัวเก็บรวบรวมสูงสุด:100 V
  • แรงดันไฟฟ้าค่าความอิ่มตัวของตัวส่งตัวเก็บรวบรวมสูงสุด: 4 V
  • ตัวเก็บรวบรวมสูงสุดตัดออกจากปัจจุบัน:10mueA
  • ความกว้าง:6.22 มม.
  • รหัส:790-5444
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1251-35
หมายเลขแบบจําลอง NJVMJD122T4G
ราคามาตรฐาน JPY: 1,120 USD: 7.03
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์