64-1250-55 SIA447DJ-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V TrenchFET, 6-Pin PowerPAK SC-70 Vishay SIA447DJ-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(10 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:12 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:12 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:71 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK SC-70
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:19 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:787-9288
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1250-55 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIA447DJ-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 970
USD: 6.08
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|