64-0684-78 SQJ412EP-T1_GE3 N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V SQ Rugged, PowerPAK SO-8L Vishay 5 พิน SQJ412EP-T1_GE3
คุณลักษณะ
- เอซีคิว101 N-Channel MOSFET, Outomice SQL Ruged Series, Vishay Semiconductor MOSFET ชุดของ SQL จาก Vishay Semiconductor ได้รับการออกแบบมาสําหรับแอปพลิเคชันยานยนต์ทั้งหมดที่ต้องการความหยาบคายและความน่าเชื่อถือสูง ข้อดีของ MOSFET ของ SQL Ruged Series อุณหภูมิในการเชื่อมต่อสําหรับ EC-Q101 ที่เข้าเกณฑ์คือ +175°C ระดับความต้านทานต่ําและต่ํา p-channel TrenchFET® technologies ช่วยเพิ่มพื้นที่ให้กับแพ็คเกจ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:32 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:8.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ: PowerPAK SO-8L
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:83 W
- ความกว้าง:5.03 มม.
- รหัส:787-9496
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0684-78 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SQJ412EP-T1_GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,120
USD: 19.56
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|