64-0684-68 ［เลิกผลิตแล้ว］SI2328DS-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2328DS-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 100V ถึง 150V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.15 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:2.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.25 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:787-9229
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0684-68 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI2328DS-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,700
USD: 10.58
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |