64-0684-27 ［เลิกผลิตแล้ว］SI9945BDY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 5.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:72 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.1 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:787-8995
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0684-27 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI9945BDY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,310
USD: 14.48
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |