64-0683-58 ［เลิกผลิตแล้ว］NE5230DR2G บนเซมิคอนดักเตอร์, แรงดันไฟฟ้าต่ํา, Op Amp, 600kHz, 1.8 → 15 V, 8 พิน SOIC NE5230DR2G
คุณลักษณะ
- NE5230, SE5230, SA5230, NCV5230, Low Voltage Operational Empliconductor, ใน Semiconductor แรงดันไฟฟ้าพาวเวอร์ซัพพลายจาก 1.8 V ถึง 15 V ซึ่งสามารถปรับค่าได้ ซัพพลายกระแสไฟฟ้าต่ํา SA ระดับ: -40°C ถึง +85°C ระดับ: -40°C ถึง +125°C NCV5230 สําหรับ ยานยนต์; เข้าเกณฑ์ AEC-Q100
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทตัวขยาย:แรงดันไฟฟ้าต่ํา
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ประเภทพาวเวอร์ซัพพลาย:คู่, เดี่ยว
- จํานวนแชนแนลต่อชิป:1
- จํานวนหมุด: 8
- แรงดันไฟฟ้าซัพพลายเดี่ยวทั่วไป:1.8 → 15 V
- แบนด์วิดธ์ทั่วไป:600kHz
- แรงดันไฟฟ้า Dual Supply ทั่วไป: ± 0.9 → ± 9V
- อัตราเซลาทั่วไป:0.25V/มิว
- อุณหภูมิต่ําสุดขณะทํางาน:0 °ซ.
- การขยายแรงดันไฟฟ้าทั่วไป:100 dB
- รหัส:787-8548
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0683-58 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NE5230DR2G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 990
USD: 6.16
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |