64-0678-57 ［เลิกผลิตแล้ว］บน Semiconductor MC33152VDR2G Dual High และ Low Side MOSFET Power Driver, 1.5A 8 พิน, SOIC MC33152VDR2G
คุณลักษณะ
- มอสเฟต ; ไดร์เวอร์ IGBT บนสารกึ่งตัวนํา ไดร์เวอร์พาวเวอร์สําหรับ MOSFET และ IGBT ในด้านล่าง, ด้านสูง, และวงจรแบบครึ่งบริดจ์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- จํานวนโปรแกรมควบคุม: 2
- แรงดันไฟฟ้าพาวเวอร์ซัพพลายขั้นต่ําขณะทํางาน: 6.1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดในเพาเวอร์ซัพพลาย:18 V
- โทโพโลยี: สูงและต่ํา
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- กระแสผลผลิตสูงสุด:1.5A
- จํานวนผลผลิต: 2
- ความเหลือเชื่อ:ไม่ส่งกลับ
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- จํานวนหมุด: 8
- ความเข้ากันได้ของตรรกะการป้อนค่า:CMOS, LSTL
- ความกว้าง:4มม.
- รหัส:786-8709
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0678-57 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MC33152VDR2G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 810
USD: 5.04
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |