64-0664-29 ［เลิกผลิตแล้ว］AIRF3315S N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon AUIRF3315S
คุณลักษณะ
- MOSFET ของระบบ N-Channel Power, Infinion ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mosfET บนพื้นผิวและแพกเกจที่มีหัวและ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ถึงโครงร่างของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:21 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการลด:82 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:94 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:165-6708
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0664-29 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRF3315S | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 9,600
USD: 59.73
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |