64-0663-17 [เลิกผลิตแล้ว]IRF7328PBF Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7328PBF
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon MOSFET แบบใช้พลังงานคู่ของ Infinion ได้รวมอุปกรณ์ HEXFET® สองตัวเข้าด้วยกันเพื่อให้สามารถประหยัดเนื้อที่และประหยัดค่าใช้จ่ายได้ ด้วยการออกแบบความหนาแน่นที่มีส่วนประกอบของบอร์ดซึ่งมีพื้นที่เพียงพอ มีตัวเลือกหลากหลายของแพ็คเกจที่มีให้และนักออกแบบสามารถเลือกใช้ Dual P-channel
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด:8 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:32 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- ความยาว:5mm
- รหัส:784-0284
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0663-17 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7328PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 920
USD: 5.77
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRF7328PBF Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7328PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0663/17/64066316.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)