64-0649-05 ［เลิกผลิตแล้ว］ON Semi 300V 3A, Dual Silicon Junction Diode, DPAK SURD830T4G 3 พิน SURD8330T4G
คุณลักษณะ
- ผลิตภัณฑ์ที่มี NSV หรือ SUR-prefixed Manufacturers Part Nos เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติเหมาะสําหรับ AEC-Q101 แบบยานยนต์ ตัวเรียงกระแสสัญญาณ, 2A ถึง 3A, บนตัวนํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด:แคโทดทั่วไป
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:300V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- เทคโนโลยีไดโอด:รอยต่อซิลิคอน
- จํานวนหมุด: 3
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:1.15V
- เวลาการกู้คืนกลับรายการสูงสุด:50ns
- กระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าสูงสุดไม่เกิน 75A
- รหัส:163-1194
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0649-05 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SURD8330T4G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 326,000
USD: 2,043.50
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |