64-0621-69 SI4532DY Dual N/P-Channel MOSFET, 3.5 A, 3.9 A, 30 V, 8 พิน SOIC บนตัวนํา SI4532DY
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor ทรานซิสเตอร์สําหรับโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นนั้นผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี Fairchlid ที่มีความหนาแน่นเซลล์สูง, DMOS กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับที่รวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 3.5 A, 3.9 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:95 Ω นาที, 190 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:166-1620
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0621-69 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4532DY | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 242,000
USD: 1,516.96
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|