64-0552-28 ［เลิกผลิตแล้ว］STB23NM60ND N-Channel MOSFET, 19.5 A, 600 V FDmesh, 3-Pin D2PAK STMicrofecters STB23NM60ND
คุณลักษณะ
- N-Channel FDmeshTM Power MOSFET, STM Microelectronics
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:19.5 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:180 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:150 W
- ขนาด:10.75 x 10.4 x 4.6 มม.
- รหัส:761-0667
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0552-28 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STB23NM60ND | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 490
USD: 3.05
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |