64-0519-07 [เลิกผลิตแล้ว]SPD04N50C3ATMA1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 560 V CoolMOS C3, DPAK Infineon 3 พิน SPD04N50C3ATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTMC3 Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 4.5 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:560 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:950 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.9V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:50 W
- เวลาหน่วงในการปิดเครื่องโดยทั่วไป:70 ns
- รหัส:753-3178
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0519-07 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SPD04N50C3ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 710
USD: 4.42
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]SPD04N50C3ATMA1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 560 V CoolMOS C3, DPAK Infineon 3 พิน SPD04N50C3ATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0519/07/64051907.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)