64-0518-84 [เลิกผลิตแล้ว]IPD90N04S304ATMA1 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V OptiMOS T, DPAK Infineon 3 พิน IPD90N04S304ATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTMT Power MOSFET ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ N-channel - Enhancement mode Aotomice AEC Q101 ที่มีคุณสมบัติ MSL1 สูงสุดถึง 260°C ระดับสูงสุดเพื่อการไหลในอุณหภูมิในการทํางาน 175°C ผลิตภัณฑ์สีเขียว (เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:90 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:3.6 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:136 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:30 ns
- รหัส:753-3030
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0518-84 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD90N04S304ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 410
USD: 2.57
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IPD90N04S304ATMA1 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V OptiMOS T, DPAK Infineon 3 พิน IPD90N04S304ATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0518/84/64051884.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)