64-0518-65 BSS159NH6327XTSA2 N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Depleting SIPMOS, 3-Pin SOT-23 Infinion BSS159NH6327XTSA2
คุณลักษณะ
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:230mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด: Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การลดลง
- ประเภท:สัญญาณขนาดเล็ก
- การกระจายพลังงานสูงสุด:360 mW
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:9 ns
- รหัส:753-2841
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0518-65 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSS159NH6327XTSA2 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,540
USD: 9.65
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|