64-0516-34 [เลิกผลิตแล้ว]BSC026N02KSGAUMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V OptiMOS 2, 8 พิน TDSON Infineon BSC026N02KSGAUMA1
คุณลักษณะ
- ตระกูล OptiMOSTM2 Power MOSFET ที่ไม่มีตัวตน ตระกูลแชนแนล OptiMOSTM2 N ของ Infinion นําเสนอแรงต้านทานต่อรัฐที่ต่ําที่สุดในอุตสาหกรรมภายในกลุ่มแรงดันไฟฟ้า ชุด Power MOSFET สามารถใช้ได้ในหลายแอพพลิเคชั่นซึ่งรวมถึง High Frequency Telecom, Datacom, Sialar, ไดร์ฟแรงดันไฟฟ้าต่ําและพาวเวอร์ซัพพลายเซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ตระกูล OptiMOS 2 อยู่ในช่วงตั้งแต่ 20V และมากกว่า และนําเสนอการเลือกประเภทแพ็คเกจที่แตกต่างกัน
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ชนิดแพคเกจ:TDSON
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.8 W
- ขนาด:6.35 x 5.35 x 1.1มม.
- รหัส:752-8154
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0516-34 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC026N02KSGAUMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 750
USD: 4.70
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]BSC026N02KSGAUMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V OptiMOS 2, 8 พิน TDSON Infineon BSC026N02KSGAUMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0516/34/64051634.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)