64-0455-91 [เลิกผลิตแล้ว]IRF9358PBF Dual P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF9358PBF
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon MOSFET แบบใช้พลังงานคู่ของ Infinion ได้รวมอุปกรณ์ HEXFET® สองตัวเข้าด้วยกันเพื่อให้สามารถประหยัดเนื้อที่และประหยัดค่าใช้จ่ายได้ ด้วยการออกแบบความหนาแน่นที่มีส่วนประกอบของบอร์ดซึ่งมีพื้นที่เพียงพอ มีตัวเลือกหลากหลายของแพ็คเกจที่มีให้และนักออกแบบสามารถเลือกใช้ Dual P-channel
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(95 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.2 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:23.8 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:168-7395
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0455-91 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF9358PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 9,070
USD: 56.43
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(95pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRF9358PBF Dual P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF9358PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0455/91/64045591.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)