64-0386-60 ตัวประกอบ AVX Tantalum 1000F μ 4V dc MnO2 Solid Tolerance ± 10% TRME108K004R0023
คุณลักษณะ
- ตัวเก็บประจุ Multi-Anode ใน TRM Series ความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้น (ดีกว่ามาตรฐานเป็นสองเท่า) จะทนต่อความเครียดทางกลไกของอุณหภูมิที่สูงขึ้นในระหว่างขั้นตอนการประกอบ การสร้าง Multi-anode Super low ESR "Mirror" ที่ใช้กับตัวเก็บประจุของ D ลด ESL ลงครึ่งหนึ่งของแอปพลิเคชันรวมถึงการใช้งานรถยนต์ การแพทย์ อวกาศ การทหาร และแอปพลิเคชันไฮเอนด์อื่นๆ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
- เทคโนโลยี:MnO2
- ความจุ:1000MuF
- แรงดันไฟฟ้า:4V dc
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- แพ็คเกจ/กรณีและปัญหา: 2917
- ความต้านทานของชุดข้อมูลเทียบเท่า:23Ω
- ระยะห่าง:4.4 มม.
- ค่าเผื่อ: ± 10%
- ความยาว:7.3 มม.
- ความลึก:4.3ม.
- ความสูง:4.1 มม.
- ขนาด:7.3 x 4.3 x 4.1 มม.
- ชุดข้อมูล:TRM
- ประเภทอิเล็กโทรไลต์:ทึบ
- μΑ: 30
- รหัส:743-5614
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0386-60 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | TRME108K004R0023 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 5,160
USD: 32.35
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece/bag | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|