64-0368-94 ［เลิกผลิตแล้ว］AIRF1010DS N-Channel MOSFET, 94 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon AUIRF1010ZS
คุณลักษณะ
- MOSFET ของระบบ N-Channel Power, Infinion ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mosfET บนพื้นผิวและแพกเกจที่มีหัวและ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ถึงโครงร่างของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:94 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:7.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:145-8784
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0368-94 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRF1010ZS | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 20,450
USD: 128.19
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |