64-0368-91 [เลิกผลิตแล้ว]AIRF1010EZ N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon AUIRF1010EZ
คุณลักษณะ
- MOSFET ของระบบ N-Channel Power, Infinion ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mosfET บนพื้นผิวและแพกเกจที่มีหัวและ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ถึงโครงร่างของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:84 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:8.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:38 ns
- รหัส:715-7655
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0368-91 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRF1010EZ | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,670
USD: 10.39
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]AIRF1010EZ N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon AUIRF1010EZ](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0368/91/64036891.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)