ON Semiconductor

64-0345-52 NTZD3152PT1G Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 ในสารกึ่งตัวนํา NTZD3152PT1G

คุณลักษณะ

  • Dual P-Channel MOSFET, บนตัวนํา

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(4000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:430 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด: Ω2
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-6 V, +6 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-563
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน: 6
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:สัญญาณขนาดเล็ก
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:280 mW
  • เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:10 ns
  • รหัส:163-1144
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0345-52
หมายเลขแบบจําลอง NTZD3152PT1G
ราคามาตรฐาน JPY: 56,100 USD: 349.05
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(4000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์